CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
这款 0.84mΩ、30V、SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 超低导通电阻 RDSon
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
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- 已针对同步场效应 FET 应用进行优化
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通道数 1
漏源极电阻 1.19 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 9000pF @15VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17573Q5B TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17573Q5BT 德州仪器 | 功能相似 | CSD17573Q5B和CSD17573Q5BT的区别 |