CSD19534Q5AT概述
TEXAS INSTRUMENTS CSD19534Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V
The is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in primary side telecom applications.
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- Ultra-low Qg and Qgd
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- Low thermal resistance
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- Avalanche rated
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- Halogen-free
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- Plastic package
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- -55 to 150°C Operating junction temperature range
CSD19534Q5AT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0126 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1680pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSON-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2017/07/07
海关信息
ECCN代码 EAR99
CSD19534Q5AT引脚图与封装图 
