100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS
这款 100V，8.7mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
针脚数 3
漏源极电阻 0.0087 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 188 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2670pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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