80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19503KCS
这款 80V，7.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比 ≤ 1%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0076 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 188 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 2730pF @40VVds
额定功率Max 188 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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