CSD18503Q5AT

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CSD18503Q5AT概述

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 100A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) 8-VSONP(5x6)


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD18503Q5AT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18503Q5AT  40V N ch MOSFET


CSD18503Q5AT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 8.8 ns

输入电容Ciss 2200pF @20VVds

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD18503Q5AT引脚图与封装图
CSD18503Q5AT引脚图
CSD18503Q5AT封装图
CSD18503Q5AT封装焊盘图
在线购买CSD18503Q5AT
型号: CSD18503Q5AT
制造商: TI 德州仪器
描述:40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.3mΩ 8-VSONP -55 to 150
替代型号CSD18503Q5AT
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