CSD18533KCS概述
60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET ..
这款 5.0mΩ，60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 逻辑电平
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 直流 - 直流转换
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
CSD18533KCS中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 114A
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 3025pF @30VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD18533KCS引脚图与封装图 
替代型号CSD18533KCS
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD18533KCS TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18532KCS 德州仪器 | 类似代替 | CSD18533KCS和CSD18532KCS的区别 |