CSD16401Q5

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CSD16401Q5概述

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON


立创商城:
CSD16401Q5


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装


贸泽:
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD16401Q5  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 25 V, 0.0013 ohm, 4.5 V, 1.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON


CSD16401Q5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 4100pF @12.5VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 12.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.05 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD16401Q5引脚图与封装图
CSD16401Q5引脚图
CSD16401Q5封装图
CSD16401Q5封装焊盘图
在线购买CSD16401Q5
型号: CSD16401Q5
制造商: TI 德州仪器
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD16401Q5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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