100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A
这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
## 应用范围
针脚数 8
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2670pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CSD19533Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD19531Q5A 德州仪器 | 类似代替 | CSD19533Q5A和CSD19531Q5A的区别 |
CSD19531KCS 德州仪器 | 功能相似 | CSD19533Q5A和CSD19531KCS的区别 |
CSD19535KCS 德州仪器 | 功能相似 | CSD19533Q5A和CSD19535KCS的区别 |