N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
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- Optimized for 5V Gate Drive
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- Ultralow Qg and Qgd
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- Low Thermal Resistance
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- Avalanche Rated
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- Pb Free Terminal Plating
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- RoHS Compliant
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- Halogen Free
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- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
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- APPLICA ONS
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- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
Telecom and Computing Systems
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- Optimized for Synchronous FET Applications
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
通道数 1
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 4000pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
宽度 5 mm
封装 8-VSON-CLIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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