30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B
这款 30V，1.2mΩ，5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
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- 极低电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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- 同步整流
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- 有源或操作 ORing 和热插拔应用
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通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 7020pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 191W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17556Q5B TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS3006SDC 飞兆/仙童 | 功能相似 | CSD17556Q5B和FDMS3006SDC的区别 |
CSD17556Q5BT 德州仪器 | 功能相似 | CSD17556Q5B和CSD17556Q5BT的区别 |
AP1002BMX 富鼎先进电子 | 功能相似 | CSD17556Q5B和AP1002BMX的区别 |