CSD19501KCS参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD19501KCS概述

80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19501KCS

这款 80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大 RθJC = 0.7，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩级

.: 无铅端子镀层

.: 符合 RoHS 标准

.: 无卤素

.: TO-220 塑料封装

## 应用范围

.: 次级侧同步整流器

.: 电机控制

CSD19501KCS中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 217 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 3980pF @40VVds

额定功率Max 217 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 217W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tube

制造应用工业, 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD19501KCS引脚图与封装图

在线购买CSD19501KCS

型号： CSD19501KCS

制造商： TI 德州仪器

描述：80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19501KCS

立即咨询

替代型号CSD19501KCS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CSD19501KCS TI 德州仪器	当前型号	当前型号
CSD19506KCS 德州仪器	类似代替	CSD19501KCS和CSD19506KCS的区别
CSD19503KCS 德州仪器	类似代替	CSD19501KCS和CSD19503KCS的区别
CSD19505KCS 德州仪器	类似代替	CSD19501KCS和CSD19505KCS的区别