CSD18501Q5A

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CSD18501Q5A概述

40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18501Q5A

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON


立创商城:
N沟道 40V 22A


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.2 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18501Q5A, 155 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装


贸泽:
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18501Q5A  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 8SON


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 8SON


CSD18501Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 3840pF @20VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD18501Q5A引脚图与封装图
CSD18501Q5A引脚图
CSD18501Q5A封装图
CSD18501Q5A封装焊盘图
在线购买CSD18501Q5A
型号: CSD18501Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18501Q5A
替代型号CSD18501Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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德州仪器

功能相似

CSD18501Q5A和CSD18511Q5A的区别

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