N 通道 NexFET 功率 MOSFET
此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
顶视图
得捷:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
立创商城:
CSD16415Q5
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this CSD16415Q5 power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 3200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD16415Q5 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 25 V, 0.00099 ohm, 10 V, 1.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 8SON
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 4100pF @12.5VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 12.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 8-VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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