TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3
这款 100V，6.4mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.7ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 次级侧同步整流器
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- 热插拔电信应用
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- 电机控制
针脚数 3
漏源极电阻 0.0064 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 179 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.2 ns
输入电容Ciss 3870pF @50VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 通信与网络, 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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