CSD17559Q5

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CSD17559Q5概述

30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet

这款 30V,0.95mΩ,5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 1.52 mm 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45 cm2,2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值

。最大 RθJC = 1.2°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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极低电阻
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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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同步整流
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有源或操作 ORing 和热插拔应用
CSD17559Q5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 41 ns

输入电容Ciss 9200pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.05 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17559Q5引脚图与封装图
CSD17559Q5引脚图
CSD17559Q5封装图
CSD17559Q5封装焊盘图
在线购买CSD17559Q5
型号: CSD17559Q5
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet
替代型号CSD17559Q5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

CSD17559Q5T

德州仪器

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