30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet
这款 30V,0.95mΩ,5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 1.52 mm 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45 cm2,2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.2°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 9200pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 8-VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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