CSD17570Q5B

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CSD17570Q5B概述

30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17570Q5B

这款 30V,0.56mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻,并不是专用于开关应用。

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超低电阻
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低热阻
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雪崩级
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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ORing 和热插拔应用

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CSD17570Q5B中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 13600pF @15VVds

下降时间 74 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD17570Q5B引脚图与封装图
CSD17570Q5B引脚图
CSD17570Q5B封装图
CSD17570Q5B封装焊盘图
在线购买CSD17570Q5B
型号: CSD17570Q5B
制造商: TI 德州仪器
描述:30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17570Q5B
替代型号CSD17570Q5B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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德州仪器

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