CSD18532Q5B

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CSD18532Q5B概述

60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET

这款 2.5mΩ,60V SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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逻辑电平
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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隔离式转换器主级侧开关
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电机控制
CSD18532Q5B中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 7.2 ns

输入电容Ciss 5070pF @30VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD18532Q5B引脚图与封装图
CSD18532Q5B引脚图
CSD18532Q5B封装图
CSD18532Q5B封装焊盘图
在线购买CSD18532Q5B
型号: CSD18532Q5B
制造商: TI 德州仪器
描述:60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET
替代型号CSD18532Q5B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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