60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET
这款 2.5mΩ,60V SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.2 ns
输入电容Ciss 5070pF @30VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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