CSD16556Q5B概述
25V NexFET N 通道功率 MosFET
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
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- 超低电阻
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- 超低 Qg和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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- 已针对同步场效应 FET 应用进行优化
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CSD16556Q5B中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 6180pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 191W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
外形尺寸
封装 VSON-Clip-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD16556Q5B引脚图与封装图 
