CSD19532Q5B

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CSD19532Q5B概述

N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B

这款 4mΩ,100V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%

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低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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针对离线和隔离式直流 - 直流转换器的同步整流器
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电机控制
CSD19532Q5B中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4810pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD19532Q5B引脚图与封装图
CSD19532Q5B引脚图
CSD19532Q5B封装图
CSD19532Q5B封装焊盘图
在线购买CSD19532Q5B
型号: CSD19532Q5B
制造商: TI 德州仪器
描述:N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B
替代型号CSD19532Q5B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD19532Q5B

TI 德州仪器

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当前型号

CSD19532Q5BT

德州仪器

完全替代

CSD19532Q5B和CSD19532Q5BT的区别

CSD19537Q3

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类似代替

CSD19532Q5B和CSD19537Q3的区别

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CSD19532Q5B和CSD19531KCS的区别

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