N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B
这款 4mΩ,100V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 4810pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD19532Q5B TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD19532Q5BT 德州仪器 | 完全替代 | CSD19532Q5B和CSD19532Q5BT的区别 |
CSD19537Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD19532Q5B和CSD19537Q3的区别 |
CSD19531KCS 德州仪器 | 功能相似 | CSD19532Q5B和CSD19531KCS的区别 |