40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET
此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸}2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 逻辑电平
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 6.8 ns
输入电容Ciss 5070pF @20VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
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