CSD18532NQ5B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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CSD18532NQ5B概述

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。

.: 超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩级

.: 无铅端子镀层

.: 符合 RoHS 标准

.: 无卤素

.: 小外形尺寸无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装

## 应用范围

.: 直流 DC-DC 转换

.: 次级侧同步整流器

.: 隔离式转换器主级侧开关

.: 电机控制

CSD18532NQ5B中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 8.7 ns

输入电容Ciss 5340pF @30VVds

下降时间 2.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD18532NQ5B引脚图与封装图

CSD18532NQ5B引脚图

CSD18532NQ5B封装图

CSD18532NQ5B封装焊盘图

在线购买CSD18532NQ5B

型号： CSD18532NQ5B

制造商： TI 德州仪器

描述：60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B

替代型号CSD18532NQ5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CSD18532NQ5B TI 德州仪器	当前型号	当前型号
CSD18532Q5B 德州仪器	类似代替	CSD18532NQ5B和CSD18532Q5B的区别
CSD18532NQ5BT 德州仪器	类似代替	CSD18532NQ5B和CSD18532NQ5BT的区别
IRFH5006TRPBF 英飞凌	功能相似	CSD18532NQ5B和IRFH5006TRPBF的区别