CSD18542KCS概述
CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 逻辑电平
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 晶体管 TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 直流 - 直流转换
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
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CSD18542KCS中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.0 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 5070pF @30VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
CSD18542KCS引脚图与封装图 
