CSD18532KCS

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CSD18532KCS概述

60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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逻辑电平
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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TO-220 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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电机控制
CSD18532KCS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 216 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 169A

上升时间 5.3 ns

输入电容Ciss 4680pF @30VVds

额定功率Max 216 W

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD18532KCS引脚图与封装图
CSD18532KCS引脚图
CSD18532KCS封装图
CSD18532KCS封装焊盘图
在线购买CSD18532KCS
型号: CSD18532KCS
制造商: TI 德州仪器
描述:60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD18532KCS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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