60V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET
这款 1.8mΩ,60V,SON5x6 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4230pF @30VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
宽度 5 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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