CSD18509Q5B

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CSD18509Q5B概述

40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD18509Q5B

这款 1mΩ,40V,SON 5 x 6 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值

。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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超低导通电阻
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低热阻
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雪崩额定值
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逻辑电平
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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电机控制
CSD18509Q5B中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 13900pF @20VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-CLIP

外形尺寸

封装 VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD18509Q5B引脚图与封装图
CSD18509Q5B引脚图
CSD18509Q5B封装图
CSD18509Q5B封装焊盘图
在线购买CSD18509Q5B
型号: CSD18509Q5B
制造商: TI 德州仪器
描述:40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD18509Q5B
替代型号CSD18509Q5B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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