40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD18509Q5B
这款 1mΩ,40V,SON 5 x 6 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 13900pF @20VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-CLIP
封装 VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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