60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
N-Channel 60V 100A Ta 3.2W Ta, 156W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
立创商城:
CSD18532Q5BT
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.2 mOhm
贸泽:
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
通道数 1
漏源极电阻 3.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 156 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.2 ns
输入电容Ciss 5070pF @30VVds
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD18532Q5BT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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