40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 2.4mΩ，40V，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比
≤ 1%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 逻辑电平
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- TO-220 塑料封装
## 应用范围
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- 直流 - 直流转换
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
通道数 1
漏源极电阻 0.0024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 216 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 4680pF @20VVds
额定功率Max 216 W
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 259W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD18502KCS TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
BUK753R1-40E 恩智浦 | 功能相似 | CSD18502KCS和BUK753R1-40E的区别 |