100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK TO-263 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
引脚分配
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,
占空比 ≤ 1%
## 应用
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 3 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 5060pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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