CSD17570Q5BT

CSD17570Q5BT图片1
CSD17570Q5BT图片2
CSD17570Q5BT图片3
CSD17570Q5BT图片4
CSD17570Q5BT图片5
CSD17570Q5BT概述

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD17570Q5BT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.92 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17570Q5BT, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this CSD17570Q5BT power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 3200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON / N-Channel 30 V 100A Ta 3.2W Ta Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


CSD17570Q5BT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 10400pF @15VVds

下降时间 74 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.05 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD17570Q5BT引脚图与封装图
CSD17570Q5BT引脚图
CSD17570Q5BT封装图
CSD17570Q5BT封装焊盘图
在线购买CSD17570Q5BT
型号: CSD17570Q5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
替代型号CSD17570Q5BT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD17570Q5BT

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD17570Q5B

德州仪器

类似代替

CSD17570Q5BT和CSD17570Q5B的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台