N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W
N-Channel 100V 200A Ta 250W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3
欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD19532KTTT
得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
立创商城:
CSD19532KTTT
德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 5.6 mOhm
贸泽:
MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 250W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
通道数 1
漏源极电阻 5.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 5060pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 9.25 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD19532KTTT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD19532KTT 德州仪器 | 类似代替 | CSD19532KTTT和CSD19532KTT的区别 |