80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD19505KCS
这款 80V,2.6mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
## 应用范围
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 7820pF @40VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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