CSD19535KTT

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CSD19535KTT概述

CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 100V、2.8mΩ、D2PAK TO-263 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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D2PAK 塑料封装

## 应用

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热插拔
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电机控制
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二次侧同步整流器

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CSD19535KTT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 7930pF @50VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CSD19535KTT
型号: CSD19535KTT
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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