CSD19536KCS

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CSD19536KCS概述

100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD19536KCS

这款 100V,2.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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TO-220 塑料封装

## 应用范围

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次级侧同步整流器
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电机控制
CSD19536KCS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 12000pF @50VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD19536KCS引脚图与封装图
CSD19536KCS引脚图
CSD19536KCS封装图
CSD19536KCS封装焊盘图
在线购买CSD19536KCS
型号: CSD19536KCS
制造商: TI 德州仪器
描述:100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD19536KCS
替代型号CSD19536KCS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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