CSD18536KCS

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CSD18536KCS概述

CSD18536KCS 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 60V,1.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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TO-220 塑料封装

## 应用范围

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次级侧同步整流器
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电机控制

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CSD18536KCS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 11430pF @30VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD18536KCS引脚图与封装图
CSD18536KCS引脚图
CSD18536KCS封装图
CSD18536KCS封装焊盘图
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型号: CSD18536KCS
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD18536KCS 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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