CSD19536KTT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD19536KTT概述

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 100V、2.0mΩ、D2PAK TO-263 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩级

.: 无铅引脚镀层

.: 符合 RoHS 环保标准

.: 无卤素

.: D2PAK 塑料封装

## 应用

.: 次级侧同步整流器

.: 热插拔

.: 电机控制

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CSD19536KTT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 12000pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD19536KTT引脚图与封装图

在线购买CSD19536KTT

型号： CSD19536KTT

制造商： TI 德州仪器

描述：CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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