80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19506KCS
这款 80V，2.0mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
- .
- 超低 Qg 和 Qgd
- .
- 低热阻
- .
- 雪崩额定值
- .
- 无铅引脚镀层
- .
- 符合 RoHS 环保标准
- .
- 无卤素
- .
- TO-220 塑料封装
## 应用范围
- .
- 次级侧同步整流器
- .
- 电机控制
针脚数 3
漏源极电阻 0.002 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 9380pF @40VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD19506KCS TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD19501KCS 德州仪器 | 类似代替 | CSD19506KCS和CSD19501KCS的区别 |
CSD19503KCS 德州仪器 | 类似代替 | CSD19506KCS和CSD19503KCS的区别 |
CSD19505KCS 德州仪器 | 类似代替 | CSD19506KCS和CSD19505KCS的区别 |