C3M0065090J

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C3M0065090J中文资料参数规格
技术参数

额定功率 113 W

极性 N-Channel

耗散功率 113 W

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 660pF @600VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 113W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-263-8

外形尺寸

封装 TO-263-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买C3M0065090J
型号: C3M0065090J
描述:Trans MOSFET N-CH 900V 35A 8Pin7+Tab D2PAK
替代型号C3M0065090J
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C3M0065090J

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