C2M0080120D概述
Trans MOSFET N-CH 1.2kV 36A 3Pin3+Tab TO-247
N-Channel 1200V 36A Tc 192W Tc Through Hole TO-247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin3+Tab TO-247
C2M0080120D中文资料参数规格
技术参数
额定功率 208 W
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 950pF @1000VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free