CMF20120D概述
Trans MOSFET N-CH 1.2kV 42A 3Pin3+Tab TO-247
N-Channel 1200 V 42A Tc 215W Tc Through Hole TO-247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 42A 3-Pin3+Tab TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 42A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; 215W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin3+Tab TO-247
CMF20120D中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 215 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 1915pF @800VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 215W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 135℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free