CPV364M4U

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CPV364M4U概述

VISHAY CPV364M4U IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 20A, 600V, 63W, 600V, Module

IGBT Module Three Phase Inverter 600V 20A 63W Through Hole IMS-2


得捷:
IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2


Newark:
# VISHAY  CPV364M4U  IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 20 A, 600 V, 63 W, 600 V, Module


CPV364M4U中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 2.1nF @30V

额定功率Max 63 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 63000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 IMS-2

外形尺寸

高度 21.97 mm

封装 IMS-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CPV364M4U
型号: CPV364M4U
描述:VISHAY CPV364M4U IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 20A, 600V, 63W, 600V, Module

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