CSD85301Q2,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
是一款 20V、23mΩ N 通道器件,它具有两个独立的 MOSFET,并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 FET 采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。 此外,该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。
## 应用范围
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通道数 2
漏源极电阻 27 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 600 mV, 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 469pF @10VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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