PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 50V 3A 6CPH
立创商城:
CPH6123-TL-E
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP CPH6123-TL-E GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 6-Pin CPH T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 6-Pin CPH T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 6-Pin CPH T/R
Win Source:
TRANS PNP 50V 3A CPH6
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 TSOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CPH6123-TL-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |