CSD87588N

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CSD87588N概述

同步降压 NexFET 电源块 II

此 NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,这款产品可提供高效且灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时,均可提一个供高密度电源。

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半桥电源块
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电流 20A 时,系统效率达到 90%
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高达 25A 的工作电流
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高密度 - 5mm × 2.5mm 接合栅格阵列 LGA 封装
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双侧冷却能力
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超薄 - 最大厚度为 0.48mm
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针对 5V 栅极驱动进行了优化
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低开关损耗
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低电感封装
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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无铅

## 应用范围

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同步降压转换器
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高电流、低占空比应用
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多相位同步降压转换器
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负载点 POL 直流 - 直流转换器

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CSD87588N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 736pF @15VVds

额定功率Max 6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 XFLGA-5

外形尺寸

封装 XFLGA-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD87588N引脚图与封装图
CSD87588N引脚图
CSD87588N封装图
CSD87588N封装焊盘图
在线购买CSD87588N
型号: CSD87588N
制造商: TI 德州仪器
描述:同步降压 NexFET 电源块 II

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