CSD97376Q4M

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CSD97376Q4M概述

同步降压 NexFET 功率级

NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 IC 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用电流断续模式 DCM 运行来提升轻负载效率。 此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式启用针对 Windows™ 的联网待机功能 。借助于 PWM 输入三态,静态电流被减少至 130µA,并支持立即响应。 当 SKIP# 被保持在三态时,电流被减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 这个组合可在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效和高速开关器件。 此外,已经对印刷电路板 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

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电流为 15A 时,系统效率 90%
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最大额定持续电流 20A,峰值 45A
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高频运行(高达 2MHz)
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高密度 — 小外形尺寸无引线 SON 3.5mm × 4.5mm 封装
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超低电感封装
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系统已优化的印刷电路板 PCB 封装
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超低静态 ULQ 电流模式
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与 3.3V 和 5V 脉宽调制 PWM 信号兼容
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具有连续传导模式 FCCM 的二极管仿真模式
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输入电压高达 24V
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三态 PWM 输入
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集成引导加载二极管
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击穿保护
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符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
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无卤素
CSD97376Q4M中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

输出接口数 1

耗散功率 8 W

输入电压Max 24 V

输出电压Max 1.8 V

输出电流Max 20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 8000 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 24 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.6 mm

高度 0.9 mm

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 不推荐在新型设计中采用

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 同步降压转换器

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

CSD97376Q4M引脚图与封装图
CSD97376Q4M引脚图
CSD97376Q4M封装图
CSD97376Q4M封装焊盘图
在线购买CSD97376Q4M
型号: CSD97376Q4M
制造商: TI 德州仪器
描述:同步降压 NexFET 功率级
替代型号CSD97376Q4M
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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德州仪器

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CSD97376Q4M和CSD97394Q4M的区别

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