CSD87334Q3DT 编带
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V - 6W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
立创商城:
双N沟道半桥 30V
德州仪器TI:
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A
艾睿:
High Frequency Synchronous Power Module
安富利:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin VSON T/R
Verical:
High Frequency Synchronous Power Module
针脚数 8
漏源极电阻 0.0049 Ω
耗散功率 6 W
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1260pF @15VVds
额定功率Max 6 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD87334Q3DT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD87334Q3D 德州仪器 | 完全替代 | CSD87334Q3DT和CSD87334Q3D的区别 |