CSD86350Q5D

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CSD86350Q5D概述

同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

半桥 NexFET 电源块


得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON


立创商城:
CSD86350Q5D


德州仪器TI:
25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD86350Q5D, 120 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装


艾睿:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R


安富利:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON T/R


Chip1Stop:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, Dual N Channel, 40 A, 25 V, 1.8 mohm, 4.5 V, 1.4 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 40A 8SON


Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON


CSD86350Q5D中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 Dual N-Channel, N-Channel

耗散功率 13 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 1870pF @12.5VVds

额定功率Max 13 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 13000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LSON-CLIP-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2017/07/07

数据手册

CSD86350Q5D引脚图与封装图
CSD86350Q5D引脚图
CSD86350Q5D封装图
CSD86350Q5D封装焊盘图
在线购买CSD86350Q5D
型号: CSD86350Q5D
制造商: TI 德州仪器
描述:同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
替代型号CSD86350Q5D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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