同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
NexFET 电源块是一款针对同步降压应用的优化设计器件,它能够在 5mm × 6mm 的小外形尺寸封装内提供高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。
## 应用范围
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通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 12 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1770pF @15VVds
额定功率Max 12 W
下降时间 2.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 12 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LSON-CLIP-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.5 mm
封装 LSON-CLIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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