CSD87353Q5D

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CSD87353Q5D概述

30V 同步降压 NexFET™ 电源块

NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计方案,能够以 5 毫米 × 6 毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。

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VIN up to 27V
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半桥式电源块
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25A 电流下 95% 的系统效率
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高达 40A 的工作电流
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高频率工作(高达 1.5MHz)
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高密度 — SON 5 毫米 × 6 毫米封装
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针对 5V 栅极驱动而优化
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低开关损耗
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超低电感封装
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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无铅端子电镀
CSD87353Q5D中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

通道数 2

耗散功率 12 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30 V

输入电压Max 27 V

输出电压Max 1 V

输出电流Max 25 A

输入电容Ciss 3190pF @15VVds

额定功率Max 12 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LSON-CLIP-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD87353Q5D引脚图与封装图
CSD87353Q5D引脚图
CSD87353Q5D封装图
CSD87353Q5D封装焊盘图
在线购买CSD87353Q5D
型号: CSD87353Q5D
制造商: TI 德州仪器
描述:30V 同步降压 NexFET™ 电源块
替代型号CSD87353Q5D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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