CY7C1021BN-12VXI

CY7C1021BN-12VXI图片1
CY7C1021BN-12VXI概述

1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 12ns 44-SOJ


得捷:
IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ


CY7C1021BN-12VXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 12.0 GHz

存取时间 12.0 ns

内存容量 1000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BSOJ-44

外形尺寸

封装 BSOJ-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1021BN-12VXI
型号: CY7C1021BN-12VXI
描述:1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM
替代型号CY7C1021BN-12VXI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY7C1021BN-12VXI

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

CY7C1021D-10VXI

赛普拉斯

功能相似

CY7C1021BN-12VXI和CY7C1021D-10VXI的区别

CY7C1021B-12VI

赛普拉斯

功能相似

CY7C1021BN-12VXI和CY7C1021B-12VI的区别

CY7C1021BN-12VI

赛普拉斯

功能相似

CY7C1021BN-12VXI和CY7C1021BN-12VI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台