CY7C1021CV33-12ZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1021CV33-12ZXI概述

1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

SRAM - 异步存储器 IC 1Mb（64K x 16）并联 12 ns 44-TSOP II

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II

CY7C1021CV33-12ZXI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 12.0 GHz

位数 16

存取时间 12.0 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.b

数据手册

在线购买CY7C1021CV33-12ZXI

型号： CY7C1021CV33-12ZXI

描述：1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

替代型号CY7C1021CV33-12ZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1021CV33-12ZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1021CV33-12VC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1021CV33-12ZXI和CY7C1021CV33-12VC的区别
CY7C1021CV33-12VXI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1021CV33-12ZXI和CY7C1021CV33-12VXI的区别
CY7C1021CV33-12VXC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1021CV33-12ZXI和CY7C1021CV33-12VXC的区别